红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂  

DETERMINATION OF P-TYPE INCLUSION IN N-TYPE Hg_(0.8)Cd_(0.2) Te ALLOYS BY INFRARED ABSORPTION

作　　者：黄长河[1] 司承才[2] 季华美[2] 俞振中[2] 汤定元[2] 

机构地区：[1]上海复旦大学材料学研究所,上海200433 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《红外研究》1990年第6期441-445,共5页

摘　　要：提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。Infrared absorption at room temperature is used to detect the P-type inclusion inN-type Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te alloys is presented.

关 键 词：光吸收法 晶体 N型 P型夹杂 

分 类 号：TN213.06[电子电信—物理电子学]