何进

作品数：1被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：MOCVD碲镉汞汞薄膜晶体安全报警更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MOCVD－Hg_（1－x）Cd_xTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究被引量：2
《红外与毫米波学报》1994年第3期191-198,共8页杨建荣 何进 沈寿珍 马可军 俞振中 
高技术基金
从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算．结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量．计算结...
关键词：薄膜 红外光谱 碲镉汞 红外材料 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部