HGCDTE晶体

作品数：18被引量：26H指数：2
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高重复频率CO_2激光重复频率大小对HgCdTe晶体温升及损伤特性影响分析被引量：7
《中国激光》2015年第2期202-209,共8页王挺峰 汤伟 邵俊峰 王锐 郭劲 
国家重点实验室自主基础研究课题(SKLLIM1004-01)
为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1、5、10kHz)下HgCdTe晶体的温升过程,建立了高重复频率CO2激光辐照HgCdTe晶体的理论模型,分析了激光重复...
关键词：材料 HGCDTE材料 重复频率 脉冲CO2激光 损伤形貌 
高重频CO_2激光对Hg_(0.826)Cd_(0.174)Te晶体的损伤被引量：2
《红外与激光工程》2013年第10期2663-2668,共6页汤伟 邵俊峰 赵帅 王挺峰 郭劲 
国家重点实验室自主基础研究课题(SKLLIM1004-01)
开展了HgCdTe晶体的多脉冲热损伤问题的实验研究。采用形貌学方法对脉宽为300 ns重复频率可调的CO2激光器对Hg0.826Cd0.174Te晶体的损伤阈值进行了实验测量,并建立了高重频脉冲CO2激光辐照Hg0.826Cd0.174Te晶体的三维热传导理论模型,分...
关键词：损伤阈值 高重频 HGCDTE晶体 
高重频CO_2激光损伤HgCdTe晶体的数值分析被引量：10
《中国光学》2013年第5期736-742,共7页汤伟 吉桐伯 郭劲 邵俊峰 王挺峰 
激光与物质相互作用国家重点实验室自主基础研究资助项目(No.SKLLIM1004-01)
针对CO2激光作用下HgCdTe晶体的损伤问题进行了数值分析。首先,建立了高重频CO2激光损伤Hg0.784Cd0.216Te晶体的三维热传导物理模型;然后,利用有限元方法计算了单脉冲和高重频CO2激光作用下,Hg0.784Cd0.216Te晶体的损伤阈值;最后,分析...
关键词：激光损伤 损伤阈值 重复频率 HGCDTE晶体 
激光辐照HgCdTe晶体研究进展被引量：1
《光机电信息》2010年第6期10-15,共6页宋少雷 张龙 张来明 徐东东 宋晓峰 
激光与物质相互作用国家重点实验室2009研究基金项目(批准号SKLLIM0901)
对激光与物质相互作用原理进行了简要介绍,列举了HgCdTe晶体与激光相互作用的研究进展。主要对激光与HgCdTe晶体相互作用时表现出来的现象和实验技术进行了探讨,并对新的测量技术做出了展望。
关键词：HGCDTE 激光辐照效应 进展 
加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第4期440-445,共6页王跃 李全保 韩庆林 马庆华 宋炳文 介万奇 周尧和 
国防科工委资助&&
根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生...
关键词：加压布里奇曼法 HGCDTE晶体 晶体生长 红外半导体材料 
HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究
《功能材料》2000年第4期426-427,共2页介万奇 
在定量估算的基础上，明确了 Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ一Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的简化条件，导出了计算公式。以 ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行的计算表明，按照远红外探测器要求的成分配料（Ｘ０＝０．２２...
关键词：HGCDTE 生长 分凝 红外探测材料 
在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体被引量：2
《材料研究学报》2000年第1期76-81,共6页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 周士仁 姚枚 
在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．...
关键词：HGCDTE BRIDGMAN法 磁场 晶体生长 金属复合物 
Bridgman法生长HgCdTe晶体的初始速度选择被引量：1
《红外技术》2000年第1期25-28,36,共5页王跃 李全保 韩庆林 宋炳文 介万奇 周尧和 
根据Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长ＨｇＣｄＴｅ 晶体过程中溶质ＣｄＴｅ 的分布规律，推导了缩短初始过渡区长度、增加组分稳定区长度的最佳初速度表达式，从式中可看出：初始速度为一变数。
关键词：布里奇曼法 HGCDTE晶体 变速生长 初始速度 
改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响被引量：1
《人工晶体学报》2000年第1期45-50,共6页王跃 李全保 韩庆林 马庆华 宋炳文 介万奇 周尧和 
兵器集团公司研究基金
为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中...
关键词：晶体生长速度 固液界面形态 碲镉汞晶体 
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
《哈尔滨工业大学学报》1999年第3期8-10,共3页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
关键词：磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体 
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