Bridgman法生长HgCdTe晶体的初始速度选择  

Initial Velocity for Bridgman Growth of HgCdTe Crystal

作　　者：王跃[1] 李全保[1] 韩庆林[1] 宋炳文[1] 介万奇[2] 周尧和[2] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南昆明650223 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072

出　　处：《红外技术》2000年第1期25-28,36,共5页Infrared Technology

摘　　要：根据Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长ＨｇＣｄＴｅ 晶体过程中溶质ＣｄＴｅ 的分布规律，推导了缩短初始过渡区长度、增加组分稳定区长度的最佳初速度表达式，从式中可看出：初始速度为一变数。Based on the solute CdTe distribution during Bridgman growth of HgCdTe crystal, in order to shorten the initial transient length and increase composition stable region length,the optimum initial veloctiy program has been got. The program indicates that the initial velocity is a variable.

关 键 词：布里奇曼法 HGCDTE晶体 变速生长 初始速度 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]