HgCdTe晶体的本征载流子浓度的应用  

作　　者：肖继荣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理所究所

出　　处：《红外技术》1990年第6期5-7,共3页Infrared Technology

摘　　要：HgCdTe晶体的本征激发决定于组份和温度。本征载流子浓度与组份、温度的关系早已得到广泛、深入的研究。由于自由载流子来源于杂质激发与本征激发,如果把杂质的影响考虑进去,就可以由本征载流子浓度推算出在高于77K的任何温度下的载流子浓度。反过来,如果知道处于本征激发占主导地位的某一温度时(如室温)的载流子浓度。

关 键 词：HGCDTE晶体 截流子 浓度 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]