新型Si基毫米波VGCPW建模  

Novel Si-Based Millimeter-Wave VGCPW Modeling

作　　者：胡嘉杰[1] 夏立诚[1] 王文骐[1] 

机构地区：[1]上海大学通信与信息工程学院,上海200072

出　　处：《上海大学学报（自然科学版）》2008年第4期341-345,共5页Journal of Shanghai University:Natural Science Edition

基　　金：上海应用材料研究与发展基金资助项目(0506)

摘　　要：基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导(VGCPW),用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS单片集成电路仿真和设计的新型低损耗VGCPW等效传输线模型.A novel low-loss transmission line structure VGCPW based on a Si substrate using the standard 0.18 μm CMOS process is presented. The 3D physical model of VGCPW is set up with HFSS, and the electromagnetic field distribution in the model analyzed. The equivalent transmission line model of VGCPW established with the TLINP, OPTIM, and GOAL tools in ADS can be used to simulate millimeter wave CMOS MMIC circuits.

关 键 词：毫米波 CMOS 低损耗 CPW建模 

分 类 号：TN811.7[电子电信—信息与通信工程]