以聚苯乙烯为绝缘层的C(60)场效应晶体管  

C_(60) field-effect transistors using a polystyrene gate dielectric layer

作　　者：周建林[1] 张福甲[1] 彭俊彪[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [2]华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广东广州510640

出　　处：《功能材料》2008年第7期1102-1103,1107,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676033)

摘　　要：研究制备了以聚苯乙烯(polystyrene)作为绝缘层,富勒烯C60为半导体有源层的一种全有机n型场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚苯乙烯薄膜及其表面C60薄膜的形貌。电学特性测试结果表明器件性能优良,场效应电子迁移率达到1.05cm2/V.s,开关比为9.4×105。A kind of organic field-effect transistor （OFET） was fabricated with polystyrene as the gate insulator and C60 as the active layer. Using the atomic force microscopic （AFM） images analyzed the surface morphology of polystyrene film and the C60 film. The device demonstrates good electric characteristics. The field effect mobility of device can reach 1.05cmZ/V·s,and the on/off ratio is 9.4×10^5.

关 键 词：聚苯乙烯 C60 N型 有机场效应晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]