Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料  

Type Ⅱ InAs/GaInSb Superlattices Material for Infrared Detector

作　　者：殷景志[1] 高福斌[1] 马艳[1] 纪永成[1] 赵强[1] 王一丁[1] 汤艳娜[1] 索辉[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012

出　　处：《激光与红外》2008年第8期754-756,761,共4页Laser & Infrared

基　　金：国家自然科学基金(No.60676039);国家“863”计划基金(No.2007AA06z112);博士点基金(No.20060183030);吉林省科委的资助

摘　　要：综述了近年来对InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。In this paper,recent research results for type Ⅱ InAs/GalnSb superlattices material will be reviewed. The dependence of energy gap on layer widths and alloy concentration is presented. The energy gap of type Ⅱ InAs/ GalnSb superlattices material can be tuned to respond to wavelengths in the 3 ～ 25 μm regime. It will also likely be an attractive alternative to HgCdTe for LWIR and VLWIR applications.

关 键 词：InAs/GalnSb Ⅱ型超晶格 红外 探测器 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]