汤艳娜

作品数：2被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：吉林大学更多>>
发文主题：超晶格INAS/GASBYBTM红外光更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《激光与红外》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料
《激光与红外》2008年第8期754-756,761,共4页殷景志 高福斌 马艳 纪永成 赵强 王一丁 汤艳娜 索辉 杜国同 
国家自然科学基金(No.60676039);国家“863”计划基金(No.2007AA06z112);博士点基金(No.20060183030);吉林省科委的资助
综述了近年来对InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。
关键词：InAs/GalnSb Ⅱ型超晶格 红外 探测器 
InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展被引量：1
《激光与红外》2007年第8期699-701,共3页殷景志 高福斌 汤艳娜 张天舒 刘驰 王一丁 杜国同 
国家自然科学基金项目(60676039;60477012);国家"863"计划项目(2202AA313080)
InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.
关键词：INAS/GASB Ⅱ型超晶格 红外探测器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部