InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展  

InAs/GaSb Type-Ⅱ Superlattices for Infrared Detector

作　　者：殷景志[1] 高福斌[1] 汤艳娜[1] 张天舒[1] 刘驰[1] 王一丁[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012

出　　处：《激光与红外》2007年第8期699-701,共3页Laser & Infrared

基　　金：国家自然科学基金项目(60676039;60477012);国家"863"计划项目(2202AA313080)

摘　　要：InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.Because InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices have special energy gap structure, the detector＇s wavelength made by the material covers infrared region from 3 to 30 μm. The operating mechanism of type-Ⅱ supedattices detector is clarified. This paper reviews the new achievements that the foreign researchers use the energy band structure＇s peculiarity of the InAs/GaSb type-Ⅱ supedattices to fabricate materials and devices.

关 键 词：INAS/GASB Ⅱ型超晶格 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]