A Frequency-Independent Equivalent Circuit for High-k Stacked Monolithic Transformers  

高耦合系数层叠结构片上变压器的频率无关等效电路(英文)

作　　者：夏峻[1] 王志功[1] 李伟[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第8期1461-1464,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：A new 2-Π lumped element equivalent circuit model for high-k stacked on-chip transformers is proposed. The model parameters are extracted with high precision, mainly based on analytical methods. The developed model enables fast and accurate time domain transient analysis and noise analysis in RFIC simulation since all elements in the model are fre- quency independent. The validity of the proposed model has been demonstrated by a fabricated monolithic stacked trans- former in TSMC＇s 0.13μm mixed-signal （MS）/RF CMOS＇ process.针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Π集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模型中全部元件取值均与工作频率无关,因此该模型完全可以用于射频集成电路设计中的时域瞬态仿真及噪声分析.为了验证该模型的精度,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了一个高耦合系数层叠结构片上变压器,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了其S参数.测量结果表明该模型在高于两倍自谐振频率范围内均能够与测试结果很好地符合.

关 键 词：HIGH-K stacked on-chip transformer frequency-independent equivalent circuit 

分 类 号：TM42[电气工程—电器]