非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质  

Correlation Between Arsenide Precipitation and Dislocations in Undoped LEC GaAs Crystal

作　　者：朱蓉辉[1] 曾一平[1] 卜俊鹏[1] 惠峰[1] 郑红军[1] 赵冀[1] 高永亮[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料研究中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第9期1779-1782,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.Using the laser scattering method to measure a polished GaAs wafer,we find that there are four aggregation centers of arsenide precipitation in a GaAs crystal grown in a special thermal field and the aggregation centers are at precisely the positions where the dislocation density is at a minimum. In this article, we examine the correlation between the precipitation distribution of arsenide and the dislocations. We also explain what leads to the formation of the four arsenide precipitation aggregation centers and their special distribution.

关 键 词：砷化镓 LEC 砷沉淀 微缺陷 位错分布 

分 类 号：TN247[电子电信—物理电子学] TN325.5