卜俊鹏

作品数：8被引量：23H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAAS抛光晶片抛光亚表面损伤层更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《稀有金属》《功能材料与器件学报》更多>>
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非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1779-1782,共4页朱蓉辉 曾一平 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮 
通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域...
关键词：砷化镓 LEC 砷沉淀 微缺陷 位错分布 
LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期137-140,共4页朱蓉辉 曾一平 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮 
通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验...
关键词：GAAS 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 表面缺陷 光散射 
超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第4期445-448,共4页卜俊鹏 郑红军 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
关键词：GAAS 抛光 亚表面损伤层 砷化镓 半导体 
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析被引量：1
《功能材料与器件学报》2000年第4期335-337,共3页郑红军 卜俊鹏 尹玉华 白玉柯 
采用不同的化学腐蚀方法 ,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响 ,提出了氨水系列 ,进行晶片化学腐蚀 ,晶片厚度均匀性 1 1 .47% ,为下步工艺提供平整度较好的晶片。
关键词：研磨片 化学腐蚀方法 晶片均匀性 
砷化镓晶片表面损伤层分析被引量：6
《稀有金属》1999年第4期241-244,共4页郑红军 卜俊鹏 曹福年 白玉柯 吴让元 惠峰 何宏家 
采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度。
关键词：砷化镓 切片 磨片 抛光片 表面损伤层 晶片 
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：2
《固体电子学研究与进展》1999年第1期111-115,共5页郑红军 卜俊鹏 何宏家 吴让元 曹福年 白玉珂 惠峰 
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶...
关键词：砷化镓 抛光 亚表面损伤层 
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第8期635-638,共4页曹福年 卜俊鹏 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种...
关键词：SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测 
GaAs晶片化学机械抛光的机理分析被引量：8
《固体电子学研究与进展》1997年第4期399-402,共4页卜俊鹏 郑红军 何宏家 吴让元 
在不同条件下（系统pH值，磨粉浓度，氧化剂浓度），通过对GaAs化学机械抛光速率变化规律的研究和对晶片表面氧化层的俄联（AES）分析，探讨了H2O2胶体磨料化学机械抛光的作用过程（表面氧化十机械磨除＋化学去除）和系统pH值对其过程...
关键词：抛光 机理分析 砷化镓 
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