抛光晶片

作品数：5被引量：11H指数：2
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LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期137-140,共4页朱蓉辉 曾一平 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮 
通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验...
关键词：GAAS 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 表面缺陷 光散射 
超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第4期445-448,共4页卜俊鹏 郑红军 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
关键词：GAAS 抛光 亚表面损伤层 砷化镓 半导体 
半导体抛光晶片缺陷的光学无损检测研究
《现代仪器》2001年第3期15-17,共3页冯玢 王利杰 
抛光晶片缺陷检测是半导体材料生产和器件生产中的一个重要环节,晶片质量及器件成品率与缺陷检测的成功与否有着相当重要的关系。本文重点介绍了利用我国古代劳动人民发明的透光镜原理建立的抛光晶片激光无损缺陷检测技术和相应的仪器系...
关键词：透光镜 抛光晶片 缺陷 光学无损检测技术 表面质量分析系统 
化合物半导体
《电子科技文摘》1999年第10期10-10,共1页
Z99-51304-24 9914827MOCVD 法生长 AtGaAs 的组分控制研究[会]/公延宁//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—24～26(D)Z99-51304-155 9914828砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析[会]/郑红军//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—165～...
关键词：抛光晶片 化合物半导体 固体薄膜 表面吸附 俄歇电子能谱 学术会议 不同方法 测试方法 相结合 化学吸附 
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第8期635-638,共4页曹福年 卜俊鹏 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种...
关键词：SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测 
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