超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺  

Polishing of Super-Low Sub-Surface Damage of GaAs Wafer

作　　者：卜俊鹏[1] 郑红军[1] 赵冀[1] 朱蓉辉[1] 尹玉华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第4期445-448,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。Many experiments of chemical mechanic polishing are done by means of different compressibility pad,polishing slurry with different oxidant concentration,and different pH value.After polishing,the sub surface damage of wafer is measured by TEM.It is found that the depth of sub surface damage is determined by compressibility of pad,oxidant concentration and pH value of slurry.

关 键 词：GAAS 抛光 亚表面损伤层 砷化镓 半导体 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]