LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷  

Surface Defects and Micro Defects in LEC GaAs Crystal

作　　者：朱蓉辉[1] 曾一平[1] 卜俊鹏[1] 惠峰[1] 郑红军[1] 赵冀[1] 高永亮[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期137-140,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.

关 键 词：GAAS 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 表面缺陷 光散射 

分 类 号：TM23[一般工业技术—材料科学与工程]