InGaAs（P）应变多量子阱激光器的理论分析与优化设计  

Theoretical Analysis and Optimum Design for InGaAs（P）Strained Multiple－Quantum－Well Lasers

作　　者：彭宇恒[1] 王玮[1] 陈维友[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林工学院

出　　处：《电子学报》1997年第11期32-35,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光器，最佳的阱数为四个，最佳腔长为５００微米左右．The optimum design parameters of InGaAs(P)strained multiple-quantum-well lasers are presented .Taking the non-homogeneity of injection carriers and optical field into account, a new method of analysis and calculation is also provided.In the case of 1 .5% compressively strained lasers,the optimum number of wells is four,and the optimum lasers' cavity length is about 500 micrometers.

关 键 词：多量子阱 模式增益 优化设计 半导体激光器 

分 类 号：TN248.402[电子电信—物理电子学]