NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计  

A DC-Model for Simulation of NMOS ESD Protection Device

作　　者：姜玉稀[1] 陆嘉[2] 冉峰[2] 杨殿雄[2] 

机构地区：[1]上海大学微电子研究与开发中心,上海200072 [2]上海大学

出　　处：《微计算机信息》2008年第28期296-298,共3页Control & Automation

基　　金：上海市科委AM基金(0504)深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具的研究;江苏省专用集成电路重点实验室开放课题(JSICK0402)高性能DDR2I/O中ESD电路设计与验证

摘　　要：本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。A practical DC model for simulation of ESD NMOS is presented. Models for MOS transistor based on BSIM 3V3, bipolar transistor for parasitic effect, substrate resistance and series resistance are provided. Studies have been done on the snapback and parasitic bipolar action for modeling ESD NMOS. Equations for modeling the high current behavior of NMOS transistor have been developed. Extraction methodology for obtaining the bipolar parameters is given. Simulation results are presented and compared to the experiment data.

关 键 词：ESD 骤回 寄生效应 建模 参数提取 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]