杨殿雄

作品数：2被引量：2H指数：1
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NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计
《微计算机信息》2008年第28期296-298,共3页姜玉稀 陆嘉 冉峰 杨殿雄 
上海市科委AM基金(0504)深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具的研究;江苏省专用集成电路重点实验室开放课题(JSICK0402)高性能DDR2I/O中ESD电路设计与验证
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域...
关键词：ESD 骤回 寄生效应 建模 参数提取 
0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化被引量：2
《微计算机信息》2008年第32期289-291,共3页姜玉稀 陆嘉 冉峰 杨殿雄 
上海市科委AM基金(0504);项目名称:深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具的研究;江苏省专用集成电路重点实验室开放课题(JSICK0402);项目名称:高性能DDR2I/O中ESD电路设计与验证
本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。
关键词：ESD 版图优化 DCGS SCGS GGNMOS 
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