GaAs化合物半导体光电导型探测器  

作　　者：丁洪林 郝晓勇 孟欣 张万昌 张凯 

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2007年第1期376-376,共1页

摘　　要：本课题研发的GaAs化合物半导体光电导型探测器可用于脉冲辐射束的探测。化合物半导体GaAs、InP光电导探测器加上恒定电压，在脉冲X、γ射线束的照射下，光电导探测器的电阻下降，而在电极输出端输出正比于电阻变化的电流脉冲信号。本实验采用面垒工艺技术制备GaAs光电导探测器。

关 键 词：光电导探测器 化合物半导体 GAAS 电导型 脉冲信号 电阻变化 恒定电压 输出端 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN304.23