硅溶胶浸渍处理对Si_3N_4结合SiC窑具材料抗氧化性的影响  

作　　者：郭小军[1] 李亚利[1] 吴吉光[2] 

机构地区：[1]天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072 [2]中钢集团洛阳耐火材料研究院,河南洛阳471039

出　　处：《陶瓷》2008年第9期26-29,共4页Ceramics

摘　　要：以Si粉、SiC颗粒和细粉为原料，酚醛树脂为暂时结合剂，90MPa机压成形制得125mm×25mm×12mill长方形坯体试样。坯体经干燥、固化后，采用硅溶胶对其进行1～4次真空浸渍处理，而后在氮气气氛的电窑中进行氮化反应烧结制得相应的Si4N4结合SiC试样，研究浸渍处理对材料体积密度、显气孔率、气孔分布、1250℃抗氧化性的影响。研究表明：硅溶胶浸渍处理可明显提高材料的致密度，降低材料的气孔孔径，明显提高材料的抗氧化性能。随着浸渍处理次数的提高，材料的抗氧化性能增强。综合工艺经济性因素，2次硅溶胶浸渍处理综合效果最佳。

关 键 词：SI3N4结合SIC 硅溶胶 浸渍 抗氧化性 

分 类 号：TQ175.1[化学工程—硅酸盐工业]