相变随机存储器材料与结构设计最新进展  

Recent Progress on the Materials and Structures for Phase-Change Random Access Memory

作　　者：刘波[1] 宋志棠[1] 封松林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,上海200050

出　　处：《半导体技术》2008年第9期737-742,共6页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);国家863计划资助项目(2006AA03Z360;2008AA031402);国家自然科学基金资助项目(60706024);上海市科委资助项目(06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017;0752nm013;07QA14065)

摘　　要：介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。The current situation of phase-change random access memory （PCRAM） is reviewed, including new phase change materials, buffer layer materials, and cell structures. With the advantages of simple composition, good data retention, and excellent memory performance, GeSb and SiSb are both new phase-change materials with good application potential in PCRAM chips. The developing strategy and destination of PCRAM in China and abroad are proposed on new materials and device structures. And some considerations on the development of PCRAM in China are proposed.

关 键 词：相变随机存储器 相变材料 热阻层材料 

分 类 号：TN333.8[电子电信—物理电子学]