相变随机存储器

作品数：11被引量：10H指数：2
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相关领域：自动化与计算机技术更多>>
相关作者：缪向水韩武豪王嘉慧宋志棠李兰更多>>
相关机构：华中科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《科学与财富》《计算机与数字工程》《中国科技成果》《半导体技术》更多>>
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PCRAM损耗均衡研究综述
《计算机学报》2018年第10期2295-2317,共23页何炎祥 陈木朝 李清安 何静 沈凡凡 帅子琦 徐超 
本课题得到国家自然科学基金(61502346,61462004,61373039,61373039,61462004,61502346,61640220,61662002)、江西省教育厅科技项目(GJJ150605)资助.
随着半导体工艺的高速发展,计算机系统中处理器与主存之间性能差距的不断增大,传统存储器件的集成度已接近极限,能耗问题也日益突出,当前传统的主存技术面临挑战.相变随机存储器(PCRAM)具有集成度高、功耗低、非易失、字节级编址等优良...
关键词：相变随机存储器 非易失存储器 损耗均衡 硬件辅助 软件辅助 
新型相变随机存储器技术发展与展望
《科学与财富》2015年第25期34-34,33,共2页陈发哲 马逸 
存储器技术是一种不断进步的技术，每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史。本文介绍相变随机存储器（PRAM）技术，详细介绍它的发展状况、工作原理和于其他目前主流存储器的各方面性能比较。并对下一代的存储器技术进行展望。
关键词：相变随机存储 新型 存储器 工作原理 
相变随机存储器存储材料及关键技术被引量：1
《中国科技成果》2012年第19期16-17,共2页
国家863计划课题（2008AA031402）.
半导体存储器是半导体产业的重要组成部分，近几年来随着消费电子市场的快速增长，存储器的市场越来越大。我国由于人口众多以及半导体业的飞速发展，在2005年成为全球消耗IC最大的市场，
关键词：随机存储器 存储材料 技术 相变 半导体存储器 电子市场 半导体产业 组成部分 
相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究
《物理学报》2012年第10期1-5,共5页谢子健 胡作启 王宇辉 赵旭 
装备预研基金(批准号:9140A16050109JW0506)资助的课题~~
使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究,建立了三维存储单元模型,用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程.计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻...
关键词：相变随机存储器 多值存储 数值仿真 有限元法 
非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析
《计算机与数字工程》2011年第5期10-12,32,共4页孙巾杰 缪向水 程晓敏 鄢俊兵 
国家863高技术研究发展计划(编号:2009AA01Z113;2009AA01A402)资助
文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟。模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元。
关键词：相变随机存储器 非对称结构 三维 有限元分析 
Shift-Min-Write:一种减少PRAM写操作的机制
《中国科技论文在线》2011年第1期10-14,共5页田玉龙 
基于DRAM的内存子系统在容量不断增大的过程中消耗了40%的能量。相变随机访问存储器PRAM(phase-change random access memory)作为潜在的替代品可以解决内存容量和能耗的问题。然而,PRAM存在写操作寿命有限和带宽较低等问题。为此提出了...
关键词：相变随机存储器 写操作 内存性能 
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查
《工业控制计算机》2010年第9期17-17,共1页
9月6日,由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目＂相变随机存储器存储材料及关键技术＂通过中期检查。
关键词：随机存储器 信息技术 中期检查 存储材料 863项目 相变 863计划 中国科学院 
相变随机存储器 闪存的接班者
《新电脑》2010年第6期40-45,共6页施立新 
作为世界上最轻巧、用途最广泛的非易失性存储介质（NVRAM），闪存早已和我们的生活息息相关，无论是手机、数码相机、数码摄像机，还是电脑、闪存盘以及大型服务器，都需要这些小小的芯片。在飞速普及的闪存面前，软盘、MO盘等介质已...
关键词：闪存盘 随机存储器 相变 固态存储技术 存储介质 数码摄像机 非易失性 数码相机 
新型相变随机存储器单元仿真系统
《华中科技大学学报（自然科学版）》2009年第7期50-53,共4页胡作启 李兰 袁成伟 
总装备部预研项目
为研究相变随机存储器（PCRAM）的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4～150 ns和0.25～3.00 ...
关键词：相变存储 仿真系统 读写电路 物理仿真 有限元法 
相变随机存储器存储单元结构设计被引量：4
《华中科技大学学报（自然科学版）》2009年第6期89-92,共4页胡作启 袁成伟 李兰 
总装备部预研基金资助项目
为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限元法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触...
关键词：相变存储器 存储单元结构 结构设计 热分析 有限元法 
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