Impact of Lattice Volume on the Band Gap Broadening of Isovalent S-Doped CuInSe_2  

S掺杂CuInSe_2导致的体积变化对其禁带宽度的影响(英文)

作　　者：陈翔[1] 赵宇军[1] 姚若河[1] 何巨龙[2] 

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院,广州510640 [2]燕山大学材料科学与工程技术学院,秦皇岛066004

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第10期1883-1888,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：华南理工大学高性能计算中心资助项目~~

摘　　要：The electronic structure of pure and S-doped chalcopyrite CulnSe2 is investigated using a first-principles pseudopotential method in the generalized gradient approximation. The calculation indicates that the band gap of CulnSe2 broadens as S-doping concentration increases. We find that the decreased lattice volume due to isovalent S-doping in CulnSe2 has a significant impact on the band gap broadening phenomena. This physical insight is further discussed with the study of the electronic structure and bond length changes.运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CuInSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.

关 键 词：first-principles calculation CulnSe2 band gap broadening 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]