ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合  

Exciton Recombination in the Coupling Structure of a ZnCdSe Quantum Well and CdSe Quantum Dots

作　　者：金华[1] 卜凡亮[1] 李丽华[1] 王蓉[1] 张振中[2] 张立功[2] 郑著宏[2] 申德振[2] 

机构地区：[1]中国人民公安大学安全防范系,北京102416 [2]中国科学院激发态物理重点实验室,长春130033

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第11期2252-2255,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60278031;60176003和60376009);国家科技支撑计划(批准号:2006BAK07B04);公安部应用创新计划(批准号:2007YYCXGADX101);公安大学科研基金(批准号:08LG01)资助项目~~

摘　　要：采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.Coupling structures for a ZnCdSe quantum well and CdSe quantum dots （QDs） with different thickness of barrier layer were fabricated by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The recombination and tunneling of excitons in the ZnCdSe QW/CdSe QDs structure were investigated using photoluminescence （PL） spectra at 5K. The tunneling process of the exciton from QW to QDs was observed. The excitation light power dependence of PL peak position and PL-integrated intensity were also investiga- ted, respectively. The results reveaI that in this structure with thinner barrier layer, the absorption saturation in ZnCdSe quantum well can be restrained.

关 键 词：ZnCdSe量子阱/CdSe量子点 光致发光 复合 隧穿 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]