NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻  

The Tunnel Conductance and Tunnel Magnetic Resistance in NM/FS1/FS2/NM Junction

作　　者：唐科[1] 黄劲松[1] 朱林[1] 谢征微[1] 李玲[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610066

出　　处：《四川师范大学学报（自然科学版）》2008年第6期716-720,共5页Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）

基　　金：教育部科学研究重点基金(204117)资助项目

摘　　要：利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.On the basis of mean-field theory and transfer matrices, the changes of the tunnel magnetic resistance （TMR） in NM/ FS1/FS2/NM junction（ NM stands for nonmagnetic metal, FSI and FS2 stand for the ferromagnetic semiconductor layers） with the thickness of FS and the coefficient of Rashba spin-orbital coupling are studied. The results show that the TMR in NM/FS1/FS2/NM junction can oscillate periodically with the thickness variation of semiconductor layer and the large TMR value can be obtained with the suitable layer thickness of semiconductor layer and the Rashba spin-orbital coupling coefficients.

关 键 词：隧穿磁电阻 铁磁半导体 Rashba耦合 

分 类 号：O484[理学—固体物理]