粉末溅射金属氧化物气敏薄膜和元件 Ⅰ.粉末溅射金属氧化物气敏薄膜  

Powder sputter metal oxide gas thin film and sensors Ⅰ. Powder sputter metal oxide gas thin film

作　　者：田芳[1] 郭晓丽 张颖欣 王倩 裘南畹[3] 

机构地区：[1]山东大学化学与化工学院,山东济南250100 [2]济南半导体实验所,山东济南250100 [3]山东大学物理学院,山东济南250100

出　　处：《山东大学学报（工学版）》2008年第5期99-101,106,共4页Journal of Shandong University（Engineering Science）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60372030);山东省火炬计划资助项目(111600/04040214)

摘　　要：利用反溅,发展了粉末溅射工艺;指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性;给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果;给出了SnO2(100-x)/CeO2(x)最佳灵敏度的掺杂x%的范围;给出了灵敏度随膜厚变化的特征,以及一些薄膜的最佳膜厚lx的数值;给出了响应时间随膜厚变化的规律.The technique of powder sputter was developed, and the importance of this technique for fabricating a stable film gas sensor was put forth. The relation between the ratio of impurity in powder and in film, the range of deposition impurity x% for optimum sensitivity with film thickness, the optimum film thickness l^x for some thin film, and the rule for response time varies with film thickness were given.

关 键 词：粉末溅射 最佳膜厚 响应时间 

分 类 号：TF123[冶金工程—粉末冶金]