化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究  

作　　者：叶玉堂[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电子技术系

出　　处：《光电子．激光》1997年第A10期48-48,51,共2页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金项目编号:69277020

摘　　要：1.研究内容本项目研究了以GaAs为衬底的固态杂质源激光诱导扩散。①半导体基片上微小高温区(即激光诱导扩散中的曝光区,直径10μm量级)温度的不接触实时测量。②激光诱导扩散装置的研制及扩散工艺的研究。扩散用的材料是进口含Zn的SiO_2乳胶液。扩散前先用它在N型GaAs衬底的表面制成胶膜。在激光诱导扩散中,此胶膜起双重作用:一是为高蒸气压的As原子提供一层密封膜,以阻止GaAs衬底的分解;二是作为掺入GaAs的Zn原子的源(所谓'固态杂质源')。用光功率密度合适的激光束照射制备好含Zn的SiO_2胶膜的样品,在激光辐照区就会产生Zn向GaAs衬底的扩散。

关 键 词：化合物半导体 固态杂质源 激光诱导扩散 

分 类 号：TN304.201[电子电信—物理电子学]