激光诱导扩散

作品数：11被引量：24H指数：2
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双次曝光积分效应实现杂质浓度分布均匀化
《强激光与粒子束》2006年第1期6-10,共5页王昱琳 叶玉堂 吴云峰 赵爱英 焦世龙 范超 
国家自然科学基金资助课题(60277008);教育部重点科技项目资助课题(03147);四川省科技厅资助课题(04GG021-020-01)
激光诱导扩散中,当入射激光光强为高斯分布甚至均匀分布时,微小扩散区的温度分布不均匀。由于扩散系数是温度的函数,必将导致扩散后杂质浓度分布的均匀性较差,无法制作出高性能的p-n结。提出采用多次激光诱导扩散的积分效应来实现杂质...
关键词：激光诱导扩散 双次曝光积分效应 扩散杂质浓度分布 均匀化整形 
SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布
《半导体技术》2005年第7期21-24,共4页张雪琴 吴云峰 叶玉堂 焦世龙 
国家自然科学基金(60277008)教育部重点科技项目(03147)电科院资助项目(J.5.2.3)
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm 量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描...
关键词：激光诱导扩散 微小扩散区 二次离子质谱仪 
微小激光加工区辐射测温系统的调焦被引量：1
《中国激光》2005年第5期702-706,共5页吴云峰 叶玉堂 杨先明 秦宇伟 张雪琴 
国家自然科学基金(60277008);教育部重点科技项目(03147)和电科院;四川省科技厅资助课题(01GGP1904)资助项目。
将红外辐射测温系统用于半导体基片表面温度测量时,系统的调焦状况将影响测温结果的准确性。对这种影响进行了理论计算。结果表明,当被测高温区面积较大时,可以允许较大的调焦范围。但在激光诱导扩散等激光微细加工工艺中,曝光区直径仅...
关键词：辐射测温系统 激光加工 表面温度测量 微细加工工艺 激光诱导扩散 半导体基片 近红外波段 可见光波段 理论计算 调焦范围 温度分布 高温区 物距 准确性 波长 行扫描 可调节 焦距 物镜 成像 
激光诱导扩散区温度分布的均匀化被引量：2
《中国激光》2005年第3期327-330,共4页吴云峰 叶玉堂 王兵学 杨先明 秦宇伟 
国家自然科学基金(60277008);教育部(03147);电子科学研究院及四川省科技厅(01GGP1904)资助项目.
用连续波激光诱导扩散制作单片集成光接收机中的探测器时,激光照射形成的高温区面积很小.当入射激光焦斑光强为高斯分布甚至平顶帽形"分布时,微小扩散区温度分布的均匀性都不能达到实验的要求.提出了用掩模对入射高斯光束进行空间调制...
关键词：激光技术 激光微细加T 单片集成光接收机 激光诱导扩散 温度分布 均匀化 
用激光微细加工制作平面型InGaAs/InPPIN光探测器被引量：2
《强激光与粒子束》2005年第1期13-16,共4页吴云峰 廖云 叶玉堂 焦世龙 张雪琴 
国家自然科学基金资助课题(60277008);教育部重点科技项目资助课题(03147);中国电子科技集团电子科学研究院资助课题
采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器,在制作过程中,用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p 区掺杂。制作出平面型顶部入射的InGaAs/InPPIN光探测器, 响应度为0.21A/W。分析了激光诱导扩散中...
关键词：激光微细加工 单片集成光接收机 PIN光探测器 激光诱导扩散 
10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制被引量：1
《光学学报》2004年第12期1638-1642,共5页吴云峰 叶玉堂 杨先明 秦宇伟 焦世龙 
国家自然科学基金(60277008)教育部重点科技项目(03147)中国电力科学研究院及四川省科技厅资助课题
在半导体激光诱导扩散实验中,用连续波CO210.6μm激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散,激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求,必须使曝光区功率密度很高。另一方面,Si、InP等半导体材料对10.6μm波长...
关键词：激光光学 激光微细加工 单片光电集成电路 激光诱导扩散 热致破坏 
激光诱导扩散区的温度监控
《应用光学》1999年第5期24-27,共4页李忠东 郭旗 林为干 
国家自然科学基金;教育部留学回国人员科研启动基金;广东省"千百十工程"优秀人才培养基金
激光诱导扩散中的曝光区大小为１０μｍ 量级，其温度分布的测量是较困难的。本文报道一种曝光中极微小面积的不接触测量及控制。文中介绍测控原理、实验装置，给出测量结果。
关键词：激光诱导扩散 激光诱导处理 温度测量 半导体 
连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量被引量：11
《应用科学学报》1997年第4期413-417,共5页李忠东 叶玉堂 洪永和 叶婧 李家旭 
国家自然科学基金;国防科工委资助
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级，其温度分布的测量是比较困难的．该文报道一种曝光区中极微小面元温度的不接触测量．文中介绍了测量原理、实验装置，给出了实验结果，并特地介绍了测量系统的定标．
关键词：激光诱导扩散 温度测量 半导体 不接触测量 
化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究
《光电子．激光》1997年第A10期48-48,51,共2页叶玉堂 
国家自然科学基金项目编号:69277020
1.研究内容本项目研究了以GaAs为衬底的固态杂质源激光诱导扩散。①半导体基片上微小高温区(即激光诱导扩散中的曝光区,直径10μm量级)温度的不接触实时测量。②激光诱导扩散装置的研制及扩散工艺的研究。扩散用的材料是进口含Zn的SiO_...
关键词：化合物半导体 固态杂质源 激光诱导扩散 
用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO_2激光诱导Zn扩散被引量：15
《中国激光》1997年第3期237-241,共5页叶玉堂 李忠东 洪永和 叶灵 李家旭 
国家自然科学基金
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究，给出了结深ｘｊ、杂质浓...
关键词：激光诱导扩散 光电子 半导体 二氧化碳激光器 
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