MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜  

MOCVD growth of high-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors

作　　者：尚景智[1] 张保平[1] 吴超敏[1] 蔡丽娥[1] 张江勇[1,2] 余金中[1,2] 王启明[1,2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系、半导体光子学研究中心,福建厦门361005 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室,北京100083

出　　处：《光电子．激光》2008年第12期1592-1594,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家高技术研究“863”计划资助项目(2006AA03Z409)

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。A high reflectivity AIN/GaN distributed Bragg reflector （DBR） is grown on c-plane sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition（MOCVD）. A peak reflectivity of 99% is observed around 418 nm hy spectrophotometer. Compass-shape defects and a few cracks are observed on the surface. The surface root mean square（R-MS） of roughness in the flat area is around 3.3 nm over a 10 μm×l0μm area. The cross-sectional scanning electron microscope （SEM） image reveals the good periodicity of DBR. Considering the peak reflectivity and surface morphology,the DBR can he used to fabricare GaN-based vertical cavity surface emitting laser（VCSEL）.

关 键 词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 分布布拉格反射镜(DBR) 高反射率 氮化物 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]