Ar^+注入多孔硅与Ar^+注入硅多孔结构的光致发光研究  

Study of photoluminescences of the Ar^+ implanted porous silicon and the porous structure of Ar^+-implanted silicon

作　　者：吕小毅[1] 杨勇兵[2,3] 贾振红[4] 薛涛[2] 

机构地区：[1]西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049 [2]新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046 [3]喀什师范学院物理系,喀什844000 [4]新疆大学信息科学与工程学院,新疆乌鲁木齐830046

出　　处：《光电子．激光》2008年第12期1640-1643,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-05-0897);新疆维吾尔自治区高校科学研究计划项目(XJEDU2006I10)

摘　　要：研究了中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明:中等能量(30 kev)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用,使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nm附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化。We have mesured photolurninescences of the Ar^＋ implanted porous silicon and the porous structure of Ar^＋ -implanted silicon which is prepared by implanting Ar^＋ ions into single crystal silicon, conventional anodized oxidation at an en ergy of middle-energy （30 keV）. The results show that the PL intensity of Ar^＋ -implanted porous silicon is reduced,and the PL intensity of porous structure of Ar^＋ -implanfed silicon at 580 nm is enhanced. Meanwhile,the emissin peaks located around at 470 nm almost no changed.

关 键 词：离子注入 多孔硅 光致发光 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]