宽带隙化合物半导体Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备  

Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn_(1-x)Mg_xO Thin Film

作　　者：边楠[1,2,3,4] 张晓丹[1,2,3] 张霞[1,2,3,4] 赵颖[1,2,3] 杨瑞霞[4] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071 [3]光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071 [4]河北工业大学信息学院,天津300130

出　　处：《人工晶体学报》2008年第6期1361-1364,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);天津市重点基金项目(06YFJZJC01700);国家重点基础研究发展计划项目(No.2006CB202602和2006CB202603);国家自然科学基金(No.60506003);南开大学博士启动基金(No.J02031);科技部国际合作重点项目(No.2006DFA62390);国家高技术研究发展计划(No.2007AA05Z436);教育部新世纪人才计划资助的课题

摘　　要：利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节。Zn1-xMgxO based wide band-gap semiconductor thin films were fabricated on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis method. These films have rather high average transmittance over 85% in the visible range. Results of X-ray diffraction （XRD） measurements indicate that all of films exhibit preferred c-axis orientation and also exhibit regular change with different Mg doped ratios. Photoluminescence spectrum （PL） measurements indicate that the ultraviolet emission peak of ZnO thin film occur blue shift, which means that the band gap of Zn1-xMgxO thin film can be tuned.

关 键 词：超声喷雾热分解 Zn1-xMgxO薄膜 宽带隙半导体 禁带宽度 

分 类 号：O484[理学—固体物理]