含三元合金缺陷层有限超晶格中的界面声子-极化激元模  

Interface Phonon Polaritons in Finite Superlattice With a Defect Layer Consisting of Ternary Crystal

作　　者：贺梦冬[1,2] 余剑敏[3] 翟翔[1] 王玲玲[1] 

机构地区：[1]湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082 [2]中南林业科技大学数理研究所,湖南长沙410004 [3]九江学院物理系,江西九江332005

出　　处：《湖南大学学报（自然科学版）》2008年第12期48-53,共6页Journal of Hunan University:Natural Sciences

基　　金：教育部高等学校博士学科点专项基金资助项目(20050532013);湖南省教育厅基金资助项目(07C808);中南林业科技大学青年基金资助项目(07012B);湖南省自然科学基金资助项目(07JJ3114)

摘　　要：采用转移矩阵方法,研究了含三元合金缺陷层(AlxGa1-xAs)有限超晶格(GaAs/AlAs)中的界面声子-极化激元模性质.结果表明,这种有限超晶格中的声子-极化激元模在剩余射线区[ωTO,ωLO]的分布依赖于缺陷层含Al的浓度x,部分类GaAs(AlAs)声子-极化激元模随着浓度x的增加向低(高)频区移动.此外,而且还可以清晰地看到它们在局域模、表面模和扩展模之间的演变.还发现声子-极化激元模的分布随着组份层和缺陷层厚度的改变,其局域位置和特性发生显著变化.Using the transfer matrix method, we studied the characteristics of the interface phonon polariton modes （IPPMs） in finite superlattice （GaAs/AlAs） with a defect layer （Alx G1-xAs） consisting of ternary crystal. The results show that the distribution of the IPPMs in the Reststrahlen regions defined by the interval[ ωTD,ωLO] depends on the concentration x of the ternary crystal. Some of the GaAs-like （AlAs-like） IPPMs shift to- ward the lower （higher） frequency region with the increase of the concentration x, and the evolution of the IP- PMs can clearly be observed between localized, surface and extended states. In addition, it is found that the localized position and characteristics of the IPPMs vary with the thicknesses of the defect and constituent layers.

关 键 词：超晶格 缺陷层 声子-极化激元 局域模 

分 类 号：O439[机械工程—光学工程]