GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质  

作　　者：张瑞刚[1] 杨合情[1] 董红星[1] 李丽[1] 焦华[1] 陈晓波[1] 张建英[1] 郑海荣[2] 

机构地区：[1]陕西师范大学化学与材料科学学院,大分子科学陕西省重点实验室,西安710062 [2]陕西师范大学物理学与信息技术学院,西安710062

出　　处：《中国科学（B辑）》2008年第3期205-217,共13页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:20573072);教育部博士点基金(批准号:20060718010)资助项目

摘　　要：在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓,在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线.利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征,结果表明,所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构,纳米带宽度在20～300nm,长达30μm;纳米环直径在5～8μm;Z字结构纳米线的直径约为160nm.研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响,提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理.从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361nm强的紫外光发光和456nm弱的蓝光发光,这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁.

关 键 词：GaN纳米带 纳米环 Z字结构纳米线 原位生长 光致发光 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]