GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性  

作　　者：蔺何[1] 段海明[2] 

机构地区：[1]新疆大学化学化工学院应用化学研究所,乌鲁木齐830046 [2]新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046

出　　处：《中国科学（G辑）》2008年第5期513-522,共10页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10347010);新疆大学青年教师科研启动基金资助项目

摘　　要：运用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小(按Sc-Ni排列),当Mn被掺杂到GaAs后,磁矩达到极大,且Mn的磁矩在掺杂浓度为1.4%时与实验符合得很好.在包含两个掺杂原子的体系中,掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化.对于不同的掺杂元素,掺杂原子和最近邻的As原子之间的耦合形式也有不同的变化.

关 键 词：稀磁半导体 密度泛函理论 3d过渡族金属 原子团模型 电子结构 

分 类 号：O482[理学—固体物理]