32nm工艺及其设备  

32 nm Technology and its Equipment

作　　者：翁寿松[1] 

机构地区：[1]无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001

出　　处：《电子工业专用设备》2008年第12期34-36,共3页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。

关 键 词：32 nm工艺 193 nm浸没式光刻 双重图形 光刻设备 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]