模型参数对双极管差分对延时的影响  

Influence of Bipolar Transistor Parameters on Speed of Bipolar Differential Couple

作　　者：代铁军[1] 杨肇敏[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第2期138-143,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文结合我们所开发的两种ＢｉＣＭＯＳ工艺，讨论了双极管模型参数对双极管差分对的影响．采用电荷控制法，推导得出了双极管差分对的延时公式．该公式物理意义明确直观，能清楚地解释双极管各模型参数、工作条件等因素对双极管差分对延时的影响，并能指导电路设计和工艺制造；最终公式中全部使用ＰＳＰＩＣＥ参数，便于计算；该公式虽然只讨论了三个电容（发射结电容、集电结电容和衬底结电容）、三个电阻（发射极电阻、集电极电阻、基极电阻）、正向渡越时间和正向电流放大倍数八个参数，但其计算结果与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果呈现出良好的一致性．该公式适用于各种ＢｉＣＭＯＳ工艺和双极工艺（包括多晶硅发射极工艺），对不同模型参数、不同电压放大倍数、不同负载条件下的电流－延时关系曲线的计算结果，与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果相比，大多数情况下误差小于１０％．Abstract This paper discusses the influence of different bipolar device parameters on analog circuits. It is studied by looking the response of a bipolar differential coupler to a step input. Approximate analytical formulae for the response are derived. All model parameters used have definite physical meanings. The evaluated response characteristics for different cases are compared with those determined by PSPICE simulations with same sets parameters of different bipolar and BiCMOS processes and the agreement is satisfactory. In most case, the error is less than 10%.

关 键 词：双极晶体管 模型参数 差分放大器 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]