IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究  

A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process

作　　者：姜晓鸿[1] 郝跃[1] 徐国华[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学

出　　处：《电子学报》1998年第2期11-14,30,共5页Acta Electronica Sinica

摘　　要：为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的。然而，真实缺陷的形貌是多种多样的。本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将真实缺陷等效为圆形缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。

关 键 词：缺陷 成品率 故障概率 IC 制造工艺 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]