一种采用Bi-CMOS缓冲器的LDO电路设计  

Design of LDO with Bi-CMOS buffer stage

作　　者：张亚南[1] 解光军[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学理学院,安徽合肥230009

出　　处：《微计算机信息》2008年第35期294-295,共2页Control & Automation

基　　金：安徽省优秀青年科技基金资助项目资助领域为信息科学(06042086)安徽省科技厅颁发

摘　　要：在分析传统LDO稳压器稳定性的基础上,提出一种新式电路结构。经HJTC 0.18umBi-CMOS工艺仿真验证,结果表明该电路显著提高LDO的频率稳定性,增益达到100dB左右,在负载电流从0-50mA变化时,输出电压变化为0.037V,最大负载电流为50mA时的电流效率为99.97%。Based on analysis of conventional LDO regulator , proves a new LDO structure. The circuit is implanted in a standard 0.18urn Bi-CMOS process, the stabilization of LDO is improved notably .Loop gain arrive at 100dB around. When load current change from 0 to 50mA the voltage of output is 0.037V. When load current is 50Ma current efficiency is 99.97% .

关 键 词：稳压器 密勒补偿 缓冲器 反馈网络 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]