CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析  

Thermal stability of structure and properties of CH_x doped SiCOH low dielectric constant films

作　　者：杜杰[1] 叶超[1] 俞笑竹[2] 张海燕[1] 宁兆元[1] 

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料实验室,苏州215006 [2]上海交通大学物理系,上海200030

出　　处：《物理学报》2009年第1期575-579,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10575074)资助的课题~~

摘　　要：研究了真空热处理对掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜的电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.This paper investigates the effect of vacuum thermal treatment on current-voltage（I-V） and capacitance-voltage（C-V） characteristics,hydrophobic properties and microstructure of CH_4 doped SiCOH low dielectric constant films deposited by decamethylcyclopentasiloxane（D5） electron cyclotron resonance plasma.The results show that the desorption of thermally unstable CH_x groups during the heat treatment can lead to the decrease of leakage current,the variation of SiCOH/Si interface state and the decrease of surface roughness.However,the desorption of CH_x groups also leads to the deterioration of hydrophobic property.

关 键 词：SiCOH薄膜 热处理 结构与性能 

分 类 号：O484[理学—固体物理]