掩膜级测量为闪存设计预测成像质量  

作　　者：E.van Setten O.Wismans K.Grim J.Finders M.Dusa R.Birkner R.Richter T.Scherübl 

机构地区：[1]ASML Netherlands BV,Veldhoven,Netherland [2]ASML TDC,Santa Clara,Calif., [3]Carl Zeiss SMS GmbH,Jena,Germany

出　　处：《集成电路应用》2008年第11期26-29,32,共5页Application of IC

摘　　要：闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响,并且曝光前掩膜的空间成像可以用于定义成像质量。

关 键 词：成像质量 闪存 掩膜 预测 设计 测量 高数值孔径 器件尺寸 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TB852.1[一般工业技术—摄影技术]