索尼开发出背照射CMOS图像感光元件  

出　　处：《数码摄影》2008年第7期50-50,共1页Chip Foto-Video Digital

摘　　要：索尼公司6月11日在日本东京宣布开发一出款背照射（back—illuminated）CMOS图像感光元件（500万有效像素,60帧/秒）,它显著提高了成像特性,包括具有高灵敏度和低噪点的特性.不同于传统上的基于前用射技术的CMOS图像感光元件,背照射结构技术通过照射硅基板的背部提升了成像性能．

关 键 词：感光元件 CMOS 索尼公司 照射 图像 开发 成像特性 结构技术 

分 类 号：TB852.1[一般工业技术—摄影技术] TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]