高激发密度下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射性质  

The Properties of Stimulated Emission in ZnCdTe ZnTe Multiple Quantum Wells at High Excitation Intensity

作　　者：郑泽伟[1,2] 范希武[1,2] 郑著宏 张吉英[1,2] 

机构地区：[1]南京空军气象学院物理教研室 [2]中国科学院长春物理研究所

出　　处：《光电子．激光》1998年第2期100-101,共2页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质。通过改变激发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得到的样品的光发射谱进行分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程。In this artical,the properties of stimulated emission in ZnCdTe ZnTe MQWs are reported.Changing excitation intensity and collecting lightin different direction from the sample,it gives a series of spectra.From the spectra we can come to the conclusion that the processes of stimulated emission in this material is jest the processes that excitons participated in.

关 键 词：多量子阱 激子 受激发射 半导体材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]