多层膜结构MIM隧道发光结的研究  

The Research of Multi-layer Structure MIM Light-emission Tunnel Junction

作　　者：王茂祥[1] 张佑文[2] 俞建华[2] 孙承休[2] 杜建洪 

机构地区：[1]东南大学物理系,南京210096 [2]东南大学电子工程系,南京210096 [3]深圳市机电消防装饰工程公司,518031

出　　处：《固体电子学研究与进展》1998年第1期49-53,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：在普通MIM隧道发光结的基础上，制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良，发光效率达10-6-10－5量级。测试表明，其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象，并且I—V特性中存在强烈的负阻现象（NRP）。on the basis of common MIM junction, the multi-layer structureMIM junction has been fabricated. It includes two layers of oxides and MgF2. Itslight emission efficiency is high (10-6-10-5 ). Compared with common MIM junction, light spectum maximum peak of the multi-layer structure MIM junction has a'blue shift' and the strong NRP (Negative Resistance Phenomenon) has been observed in I-V curves.

关 键 词：多层膜结构 MIM结 光谱 负阻现象 发光器件 

分 类 号：TN383.03[电子电信—物理电子学]