负阻现象

作品数：16被引量：13H指数：2
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一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT被引量：2
《微电子学》2017年第2期254-257,284,共5页陈旭东 成建兵 郭厚东 滕国兵 周骏 袁晴雯 
国家自然科学基金资助项目(61274080);中国博士后科学基金资助项目(2013M541585)
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时...
关键词：场截止绝缘栅晶体管 击穿电压 负阻现象 折中关系 
有机反转电致发光器件的负阻特性
《兰州大学学报（自然科学版）》2008年第2期124-127,共4页李建丰 孙硕 张春林 李海蓉 欧谷平 张福甲 
国家自然科学基金(60676033)资助
对结构为Si/Al/Alq_3/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调...
关键词：有机电致发光器件 反转型器件 负阻现象 电流连续性方程 
双势垒隧道发光结的结构特点及其性能分析
《固体电子学研究与进展》2008年第1期16-19,共4页王茂祥 聂丽程 张佑文 俞建华 孙承休 
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子存在共振隧穿效应,使双势垒隧道结发光光谱的波长范围及谱峰位置比普通单势垒隧道结均向短波方向发生了...
关键词：隧道发光结 双势垒 共振隧穿 发光光谱 负阻现象 
液晶与显示
《中国照明电器光源灯具文摘》2001年第1期39-49,共11页
关键词：液晶显示器 硅基发光器件 负阻现象 发光机理 工作模式 显示分辩率 
双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象
《电子科学学刊》2000年第3期492-495,共4页王茂祥 吴宗汉 孙承休 章继高 
国家自然科学基金(69576006)
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理,对结I-V特性中负阻现象的产生及其与表面等离极化激元激发发光的关系进行了研究。
关键词：双势垒结构 隧道发光结 负阻现象 I-V特性 
金属-绝缘体半导体(Au-SiO_2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性被引量：1
《物理学报》2000年第6期1159-1162,共4页王茂祥 俞建华 孙承休 吴宗汉 
国家自然科学基金!(批准号 :5 99770 0 2 )资助的课题&&
制备了Au SiO2 Si结构MIS隧道发光结 .测试并分析了该结的发光特性及电流 电压 (I V)特性 .指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元 (SurfacePlasmonPolariton .SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果 .观察到MIS结I V特性中...
关键词：金属-绝缘体-半导体 隧道结 负阻现象 发光器件 
半导体二极管
《电子科技文摘》1999年第8期31-32,共2页
关键词：发光学 隧道发光二极管 半导体二极管 超大规模集成电路 硅基发光器件 层厚度 隧道二极管 光谱特性 发光机理 负阻现象 
表面等离极化激元对电接触过程中负阻现象影响的分析被引量：2
《应用科学学报》1999年第4期389-394,共6页吴宗汉 孙健 王茂祥 陈维 孙承休 章继高 
国家自然科学基金!(59977002)
在电接触过程中，金属 氧化物 金属和金属 氧化物 氧化物 金属的接触界面上会出现表面等离极化激元（ＳＰＰ）．ＳＰＰ有两种存在状态：不产生辐射状态和可以产生辐射状态．文中着重讨论了前一种状态ＳＰＰ对电接触过程中的负阻现象等...
关键词：MIM结构 电接触 负阻现象 多层膜 SPP 电子输运 
发光材料
《中国光学》1999年第3期86-87,共2页
O482.31 99032000电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率=Highfieldelectron transport of amorphous SiO2 asaccelerating layer in the layered optimizationTFEL[刊,中]/娄志东,徐春祥,于磊,滕枫。
关键词：薄膜电致发光 灯用荧光粉 加速层 物理学报 非晶二氧化硅 电子管 彩色等离子体显示器 负阻现象 发光材料 迁移率 
多层膜结构MIM隧道发光结的研究
《固体电子学研究与进展》1998年第1期49-53,共5页王茂祥 张佑文 俞建华 孙承休 杜建洪 
国家自然科学基金
在普通MIM隧道发光结的基础上，制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良，发光效率达10-6-10－5量级。测试表明，其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象，并且I—V特性中存在强烈的负...
关键词：多层膜结构 MIM结 光谱 负阻现象 发光器件 
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