PZT铁电薄膜的掺杂改性  

Modified Properties of Doped PZT Ferroelectric Thin Films

作　　者：王培英[1] 余大年[1] 刘梅冬[1] 曾亦可[1] 饶韫华 

机构地区：[1]华中理工大学固体电子学系

出　　处：《压电与声光》1998年第2期111-114,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家863科研项目

摘　　要：用溶胶－凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Ｐｂ的ＰＺＴ铁电薄膜。探讨了添加剂对ＰＺＴ铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明，过量ｒ（Ｐｂ）６％或掺高价离子ｒ（Ｙ）３％能较大地改善ＰＺＴ铁电薄膜的电性能。PZT ferroelectric thin films with high valence ion Y +3 doped and exceed Pb were prepared by Sol Gel method.The effect of additives on structure and electrical characteristics of the PZT thin films was investigated.

关 键 词：溶胶-凝胶 掺杂 疲劳 PZT铁电薄膜 铁电材料 

分 类 号：TM221.014[一般工业技术—材料科学与工程]