用于MBE中的反射式高能电子衍射仪  

Reflection High-energy Electron Diffraction Technology Used in Molecular Meam Epitaxy

作　　者：杨再荣[1] 潘金福[1] 周勋[1] 王基石[1] 宁江华[1] 丁召[1] 

机构地区：[1]贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025

出　　处：《现代机械》2009年第1期57-58,61,共3页Modern Machinery

基　　金：贵州省委组织部高层人才科研特助项目(Z073011);贵州省科技厅基金(Z073085);贵州大学博士基金(X060031);贵州大学研究生创新基金资助项目(校研理工2007020)

摘　　要：对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。The principle of Reflection High-Energy Electron Diffraction （RHEED） in molecular beam epitaxy （MBE） was described in detail. And the application of RHEED intensity oscillations on measuring the rate of expitaxial growth was discussed as well. According to the compatibility problem of the sample plate and the RHEED＇ s system, a novel sample plate has been designed, and an experimental investigation was conducted.

关 键 词：分子束外延 反射式高能电子衍射 工作原理 样品盘 强度振荡 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN304.23[理学—物理]