纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展  

NEW PROGRESS IN ULTRAHIGH DENSITY DATA STORAGE OF NANOELECTRONICS

作　　者：庞世谨[1] 薛增泉[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,中国科学院凝聚态物理中心北京真空物理实验室

出　　处：《物理》1998年第2期65-67,共3页Physics

摘　　要：超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题，我们根据电荷转移原理，在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为１３ｎｍ的信息点阵．信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化。,,Ultrahigh density data storage is an important research field in nanoelectronics.Based on the charge transfer principle,a data array of about 13nm diameter has been formed on organic complex thin films using scanning tunneling microscopy.The formation mechanism of data marks is due to the local conductance change in the film.

关 键 词：信息存储 有机复合薄膜 超高密度 纳米电子学 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]