庞世谨

作品数：7被引量：14H指数：2
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：扫描隧道显微镜STM原子结构自组织生长纳米电子学更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《真空科学与技术学报》《现代科学仪器》更多>>
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大面积取向生长碳纳米管的ECR-CVD方法制备与表征被引量：1
《真空科学与技术学报》2004年第5期385-388,共4页王志 巴德纯 刘飞 曹培江 杨天中 顾有松 庞世谨 
国家自然科学基金资助 (No 90 2 0 60 2 8;No 60 2 760 41)
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (X...
关键词：制备与表征 碳纳米管 取向生长 色散 电子回旋共振 多孔硅 ECR CVD 硅基底 微波等离子体化学气相沉积 
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量：2
《物理学报》2002年第5期1017-1021,共5页闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 0 1)资助的课题~~
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚...
关键词：扫描隧道显微镜 STM Si(111)-(7×7)表面 二维Ge团簇超晶格 自组织结构 半导体 外延生长 自组织生长 硅衬底 
Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长被引量：5
《物理学报》2002年第2期296-299,共4页张永平 闫隆 解思深 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~
用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量...
关键词：锗 硅 扫描隧道显微镜 自组织生长 量子点 表面吸附 Ge Si(111)-(7×7) 半导体 
Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附被引量：4
《物理学报》2001年第11期2132-2136,共5页闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :69770 0 1)资助的课题~~
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在...
关键词：扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇 选择性吸附 费米面 
纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展被引量：1
《物理》1998年第2期65-67,共3页庞世谨 薛增泉 
超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题，我们根据电荷转移原理，在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为１３ｎｍ的信息点阵．信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化。
关键词：信息存储 有机复合薄膜 超高密度 纳米电子学 
原子操纵的进展被引量：2
《现代科学仪器》1998年第1期44-48,共5页庞世谨 
本文对近年来原子操纵这一崭新的研究领域的有关进展作了回顾。介绍了有关原子操纵的定义、发展背景以及各种原子操纵的方法，总结了各主要实验室的主要研究成果，从应用的角度对原子操纵今后的发展方向作了预测。
关键词：原子操纵 扫描隧道显微镜 纳米电子学 
纳米碳管的STM研究被引量：1
《电子显微学报》1997年第6期755-756,共2页高聚宁 杨海强 刘宁 时东霞 江月山 薛增泉 庞世谨 
本文应用扫描隧道显微镜对弧光放电方法得到的纳米碳管进行了观察。弧光放电法所产生的纳米碳管以直线型为主，并且多以束状存在。碳管束直径约２０ｎｍ，而单根碳管的直径大多在２ｎｍ到５ｎｍ之间。观察到单层碳管的原子像，其表面为...
关键词：STM 碳管 原子结构 纳米碳管 石墨 
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