在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格  

Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7)

作　　者：闫隆[1] 张永平[1] 彭毅萍[1] 庞世谨[1] 高鸿钧[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京100080

出　　处：《物理学报》2002年第5期1017-1021,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 0 1)资助的课题~~

摘　　要：利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7) surface has been investigated using ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM). By controlling Ge depositon quantity, an ordered six-fold pattern of Ge clusters is formed on Si(111)-(7×7) surface at room temperature. The Ge clusters sit preferentially on the halves of the (7×7) unit cells, and have similar shape and uniform size. The formation mechanism of the self-organized structure is discussed.

关 键 词：扫描隧道显微镜 STM Si(111)-(7×7)表面 二维Ge团簇超晶格 自组织结构 半导体 外延生长 自组织生长 硅衬底 

分 类 号：O782[理学—晶体学]